设备概述：
l 立式氧化炉是集成电路工艺制程中的一种关键设备。
l 具有污染低、占地面积小、温度均匀、可装载晶圆尺寸大、工艺稳定性高等优点。
l 主要用于初始氧化层、屏蔽氧化层、衬垫氧化层、牺牲氧化层、场氧化层等多种氧化介质层的制备工艺。
设备特点：
n 高洁净度：包括材料、工艺环境等
n 高精度：包括炉内温度、进气流量、排气压力、运动控制等
n 高安全性：包括气体泄漏检测、气流检测、人机互锁等
设备技术指标：
n 晶片类型：6/8英寸
n 工作温度范围:800℃-1150℃
n 恒温区长度：≥860mm
应用范围：
n 广泛用于半导体材料的氧化处理，也可用于推阱、退火、合金、掺杂等工艺。