设备概述：
l PECVD主要应用于SiO2和SiNx材料的薄膜生长，工作原理是在低压引入高频射频电源，采取电容耦合方式使工艺气体电离放电，形成等离子体状态，产生大量的活性基团， 这些活性基团在衬底材料表面发生化学反应并沉积在村底表面，生长出Si02或SiNx 薄膜。
设备特点：
n 成膜质量高
n 体积小占地面积小，操作简便
n 具有良好的工艺性能，使用范围广泛
设备技术指标：
n 晶片尺寸：最大8英寸
n 温度：50℃-900℃
n 真空系统：干泵+分子泵
应用范围：
n 应用于半导体器件、电力电子器件、光电子等行业SixNy或SixOy薄膜的制备。