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卧式PECVD
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发布日期:2022-04-26
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详细介绍

设备概述:

l PECVD主要应用于SiO2和SiNx材料的薄膜生长,工作原理是在低压引入高频射频电源,采取电容耦合方式使工艺气体电离放电,形成等离子体状态,产生大量的活性基团, 这些活性基团在衬底材料表面发生化学反应并沉积在村底表面,生长出Si02或SiNx 薄膜。

设备特点:

n 成膜质量高

n 体积小占地面积小,操作简便

n 具有良好的工艺性能,使用范围广泛

设备技术指标:

n 晶片尺寸:最大8英寸

n 温度:50℃-900℃

n 真空系统:干泵+分子泵

应用范围:

n 应用于半导体器件、电力电子器件、光电子等行业SixNy或SixOy薄膜的制备。


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