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卧式LPCVD
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发布日期:2022-04-26
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详细介绍

设备概述:

l LPCVD设备是半导体集成电路制造的重要设备之一,主要用于多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜的生长,它是将原材料气体(或者液态源气化)用热能激活发生化学反应而在基片表面生成固体薄膜。LPCVD过程是在低压下进行的,由于气压低,气体分子平均自由程大,使生长的薄膜均匀性好。此外基片可以竖放使得设备装片量大,特别适用于工业化生产。

设备特点:

n 温度控制采用串级控制方式,对基片实际温度进行实时智能控制

n 装载采用SiC悬臂桨,避免了与工艺管磨擦产生粉尘

n 工作压力闭环自动控制,提高工艺稳定性和重复性

设备技术指标:

n 基片尺寸:2-8英寸晶圆

n 工作温度:500℃-900℃

n 控温精度:±1℃

应用范围:

n 用于宽禁带半导体器件、电力电子器件、光电子等行业

n 用于氮化硅、多晶硅或氧化硅薄膜的制备


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