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立式LPCVD
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发布日期:2022-04-26
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详细介绍

设备概述:

l 立式LPCVD采用钟罩式结构,设计嵌套腔体机械手传片组件、舟旋转组件,具有占地面积小、成膜均匀性高、工艺稳定性高等优点。主要用于二氧化硅、掺杂多晶硅、氮化硅膜层的制备工艺。

设备特点:

n 全自动传送,定位精准,稳定可靠

n 高洁净度工艺环境,有效控制污染

n 成膜均匀性高

设备技术指标:

n 晶片类型:6/8英寸

n 工作温度范围::500℃-1000℃

n 恒温区长度:≥860mm

应用范围:

n 广泛用于半导体行业中的薄膜制备,包括石墨烯、二氧化硅、氮化硅、硼磷硅玻璃、掺杂多晶硅等多种薄膜。


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