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磷化铟、砷化镓单晶生长设备
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发布日期:2022-04-26
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详细介绍

设备概述:

l 本设备采用立式结构,设计压力腔体、坩埚可升升降、旋转组件,具有占地面积小、工艺稳定性高等优点。

l 主要用于磷化铟(InP)、砷化镓(GaAs)等单晶材料制备工艺。

设备特点:

n 温控精度高,伺服电机定位精准,稳定可靠

n 高压腔室,有效保护人身安全

n 单晶质量高

设备技术指标:

n 晶片类型:4/6英寸

n 工作温度范围::1100℃

n 加热器最高温度:1250℃

n 控温精度:±0.5℃

n 控温段数:4段

n 炉腔压力:4MPa

应用范围:

n 广泛用于材料的坩埚下降的单晶生长


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