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MOCVD设备(科研型)
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发布日期:2020-11-25
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详细介绍

MOCVD设备(科研型)

产品简介:

本系统是应用于化合物半导体-LED/半导体照明等科研领域、用于生长24英寸的Ⅲ-Ⅴ族氮化物、砷化物等的外延片的设备。

产品特点:

科研型

由生长室、气体控制系统、真空及压力控制系统、气源/气柜系统、计算机控制系统等组成。系统各工艺参数均可由计算机自动控制(独立的工业控制计算机/ WINDOWS界面)

主要技术指标:

u 工艺片规格:研发型,2英寸(1/3/7片)

u 反应腔温度:1300

u 压力控制:0800Torr连续可调

u 激光干涉在位生长监测系统

u 反应气体:氨气,硅烷

u 携带气体/载气:氢气,氮气

u MO源:三甲基镓(TMGa),三乙基镓(TEG),三甲基铟(TMIn), 三甲基铝(TMAl),二茂基镁(Cp2Mg),二甲基辛(DMZ)


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