
MOCVD设备(科研型)
产品简介:
本系统是应用于化合物半导体-LED/半导体照明等科研领域、用于生长2~4英寸的Ⅲ-Ⅴ族氮化物、砷化物等的外延片的设备。
产品特点:
科研型
由生长室、气体控制系统、真空及压力控制系统、气源/气柜系统、计算机控制系统等组成。系统各工艺参数均可由计算机自动控制(独立的工业控制计算机/ WINDOWS界面)
主要技术指标:
u 工艺片规格:研发型,2英寸(1片/3片/7片)
u 反应腔温度:1300℃
u 压力控制:0~800Torr连续可调
u 激光干涉在位生长监测系统
u 反应气体:氨气,硅烷
u 携带气体/载气:氢气,氮气
u MO源:三甲基镓(TMGa),三乙基镓(TEG),三甲基铟(TMIn), 三甲基铝(TMAl),二茂基镁(Cp2Mg),二甲基辛(DMZ)等