MOCVD设备（科研型）

产品简介：

本系统是应用于化合物半导体-LED/半导体照明等科研领域、用于生长2～4英寸的Ⅲ-Ⅴ族氮化物、砷化物等的外延片的设备。

产品特点：

科研型

由生长室、气体控制系统、真空及压力控制系统、气源/气柜系统、计算机控制系统等组成。系统各工艺参数均可由计算机自动控制（独立的工业控制计算机/ WINDOWS界面）

主要技术指标：

u 工艺片规格：研发型，2英寸（1片/3片/7片）

u 反应腔温度：1300℃

u 压力控制：0～800Torr连续可调

u 激光干涉在位生长监测系统

u 反应气体：氨气，硅烷

u 携带气体/载气：氢气，氮气

u MO源：三甲基镓(TMGa)，三乙基镓(TEG),三甲基铟(TMIn), 三甲基铝(TMAl)，二茂基镁(Cp2Mg),二甲基辛(DMZ)等