RTP快速退火炉
产品简介：
快速退火炉是在非常短的时间内，利用红外热辐射加热的原理对硅片直接加热至400℃～1250℃温度范围内的一种半导体热处理工艺设备。通过灯光辐射型热源装置，利用专用灯管组对位于其中间的半导体硅片进行快速加热来实现稳定的快速上升。
产品特点：
1．精确重复的温度控制
2．容易保持干净环境清洁的工艺腔体
3．用户可根据要求定制工艺气体，最多可以配置6路气体
4．工艺过程计算机全自动控制
主要技术指标：
1.硅片尺寸：2~6英寸
2升温速率：0～100℃/秒可调
