LPE外延炉

设备概述：

l 气相外延是一种单晶薄层生长方法。

l 气相外延广义上是化学气相沉积的一种特殊方式，其生长薄层的晶体结构是单晶衬底的延续，而且与衬底的晶向保持对应的关系。

l 在半导体科学技术的发展中，气相外延发挥了重要作用。

l 砷化镓（GaAs）气相外延技术生长的砷化镓（GaAs）纯度高、电学特性好，广泛的应用于霍尔器件、耿氏二极管、场效应晶体管等微波器件中。

设备特点：

n 本设备的生长室采用立式石英反应生长室。整个设备包括以下各分系统：反应生长室系统、加热系统、衬底支架传动系统、气路系统、水冷却系统、报警系统、气体供给与纯化系统、气动系统、控制系统。

n 旋转速度最大可达3000转

n 多坩埚转换