碳化硅PVT晶体生长设备
设备概述：
l 本设备主要用于SiC、AlN单晶生长
设备特点：
n 提供两种工艺包
①外形包：产出6英寸碳化硅（SiC）单晶，外形不开裂
②工艺包：1、产出6英寸碳化硅（SiC）单晶，生产效率3.5炉/月
11111111112、晶体质量：微管＜3个，晶体长度10-15mm
n 温度可达2400℃
n 加热方式：感应、电阻
n 衬底尺寸：2/4/6/8英寸
