氮化镓HVPE卧式/立式晶体生长设备
设备概述：
l 用于氮化镓（GaN）单晶生长
l 用于氧化镓（Ga2O3）、氮化铝外延生长
产品特点：
u 基础工艺包：
1.GaN单晶生长尺寸2英寸
2.单晶生长速率：≥50微米/小时
3.蓝宝石衬底外延生长GaN单晶层厚度：大于50微米
u 衬底：2/4/6寸
u 数量：1片/多片
u 立式（卧式）结构，合理可靠，满足客户
u 控温精度高，温区稳定性好
u 完美可靠的安全保护功能：硬件保护+软件互锁
