碳化硅PVT晶体生长设备
设备概述:
l 本设备主要用于SiC、AlN单晶生长
设备特点:
n 提供两种工艺包
①外形包:产出6英寸碳化硅(SiC)单晶,外形不开裂
②工艺包:1、产出6英寸碳化硅(SiC)单晶,生产效率3.5炉/月
11111111112、晶体质量:微管<3个,晶体长度10-15mm
n 温度可达2400℃
n 加热方式:感应、电阻
n 衬底尺寸:2/4/6/8英寸