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碳化硅PVT晶体生长设备
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发布日期:2020-08-21
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详细介绍

碳化硅PVT晶体生长设备

设备概述:

l 本设备主要用于SiC、AlN单晶生长

设备特点:

n 提供两种工艺包

①外形包:产出6英寸碳化硅(SiC)单晶,外形不开裂

②工艺包:1、产出6英寸碳化硅(SiC)单晶,生产效率3.5炉/月

11111111112、晶体质量:微管<3个,晶体长度10-15mm

n 温度可达2400℃

n 加热方式:感应、电阻

n 衬底尺寸:2/4/6/8英寸


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