PVT法单晶生长炉
简述：
l 本设备主要用于SIC、ALN单晶材料的生长
l 采用高温加热，使原材料在高温融化
l 各操作参数可通过显示屏控制
l 本设备具有各种连锁及安全保护措施，如水温报警、过流报警等
特点：
n 温度最高可达2400℃
n 旋转速度实时显示
n 加热器功率实时显示，定时采样，显示功率曲线
n 极限真空≤9.0×10-5Pa
n 停泵关阀12小时后≤10Pa
