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氮化镓HVPE卧式/立式晶体生长设备
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发布日期:2020-08-21
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详细介绍

氮化镓HVPE卧式/立式晶体生长设备

设备概述:

l 用于氮化镓(GaN)单晶生长

l 用于氧化镓(Ga2O3)、氮化铝外延生长

产品特点:

u 基础工艺包:

1.GaN单晶生长尺寸2英寸

2.单晶生长速率:≥50微米/小时

3.蓝宝石衬底外延生长GaN单晶层厚度:大于50微米

u 衬底:2/4/6寸

u 数量:1片/多片

u 立式(卧式)结构,合理可靠,满足客户

u 控温精度高,温区稳定性好

u 完美可靠的安全保护功能:硬件保护+软件互锁


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