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ALD原子层沉积设备广泛应用场景以及技术介绍
发表时间:2021-03-03     阅读次数:     字体:【

什么是原子层沉积(ALD)


原子层沉积(ALD)是一种适合于研制最新的和前沿性的产品的薄膜制备技术,可以将物质以单原子膜形式一层一层镀在基底表面。在镀膜过程中,两种或更多的化学气相前驱体依次在基底表面发生化学反应从而产生固态的薄膜。原子层沉积系统采用一种横流式反应腔,在该反应腔内有惰性载气穿过,前驱体通过极短的脉冲注入到这个惰性载气中。惰性载气携带着前驱体脉冲作为一种有序“波”依次通过反应腔,真空泵管路,过滤系统,并最终通过真空泵。在原子层沉积过程中,新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的,这种方式使每次反应只沉积一层原子


原子层沉积设备ALD广泛应用场景


原子层沉积是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法,是制备薄膜材料的重要方法之一。它的特点是自限制性,这也决定了原子层沉积技术具有厚度高度可控、优异的均匀性及良好的保形性等众多优点,尤其擅长高深宽比图形填充。原子层沉积技术被广泛应用在HKMG、Double Pattern、Dielectric、MEMS、Memory等多个领域。该技术已经成为制备各种功能薄膜的重要手段。立冠微电子突破了前驱物输运系统控制技术、均匀稳定的反应室热场及流场控制技术、等离子产生与控制技术、脉冲射频的快速调频匹配技术、高效无损伤原位清洗技术及软件控制技术等多项关键技术,建立了具有自主知识产权的核心技术优势。北方华创微电子先后研制了具有自主知识产权的热原子层沉积(Thermal ALD)设备、等离子体增强原子层沉积(PEALD)设备两个系列产品,可沉积Oxide(HfO2/Al2O3)、Metal(TiN/TaN)、PE-SiN、PE-SiO2等多种薄膜,形成设备销售,实现了国产集成电路领域高端薄膜制备设备零的突破。

 
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